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NSVF6003SB6T1G

NSVF6003SB6T1G

僅供參考

型號 NSVF6003SB6T1G
PNEDA編號 NSVF6003SB6T1G
描述 RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 2 - 六月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVF6003SB6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVF6003SB6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NSVF6003SB6T1G, NSVF6003SB6T1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 373.72 KB)
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NSVF6003SB6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)3dB @ 1GHz
增益9dB
功率-最大800mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-CPH

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

28W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 200mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

21.5dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 13mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

150°C (TJ)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 2mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

10dB

功率-最大

19.4W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

工作溫度

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

16dB

功率-最大

50mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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