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NSVF4017SG4T1G

NSVF4017SG4T1G

僅供參考

型號 NSVF4017SG4T1G
PNEDA編號 NSVF4017SG4T1G
描述 RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 26 - 七月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVF4017SG4T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVF4017SG4T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NSVF4017SG4T1G, NSVF4017SG4T1G數據表 (總頁數: 12, 大小: 838.27 KB)
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NSVF4017SG4T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡10GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
增益17dB
功率-最大450mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝SC-82FL/MCPH4

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz

增益

10dB ~ 24dB

功率-最大

136mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

205 @ 2mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

11dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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NXP USA Inc.

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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