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NSVBC123JPDXV6T1G

NSVBC123JPDXV6T1G

僅供參考

型號 NSVBC123JPDXV6T1G
PNEDA編號 NSVBC123JPDXV6T1G
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVBC123JPDXV6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVBC123JPDXV6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSVBC123JPDXV6T1G, NSVBC123JPDXV6T1G數據表 (總頁數: 10, 大小: 135.01 KB)
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  • NSVBC123JPDXV6T1G Distributor

NSVBC123JPDXV6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大500mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

500mW

安裝類型

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電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

1kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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