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NSV60101DMR6T1G

NSV60101DMR6T1G

僅供參考

型號 NSV60101DMR6T1G
PNEDA編號 NSV60101DMR6T1G
描述 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 27 - 七月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSV60101DMR6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSV60101DMR6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
NSV60101DMR6T1G, NSV60101DMR6T1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 243.78 KB)
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NSV60101DMR6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce250 @ 100mA, 5V
功率-最大530mW
頻率-過渡200MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SC-74

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

MCH6001-TL-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

8V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

16GHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

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制造商

系列

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晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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