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NSCT817-25LT1G

NSCT817-25LT1G

僅供參考

型號 NSCT817-25LT1G
PNEDA編號 NSCT817-25LT1G
描述 TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,948
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 5 - 六月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSCT817-25LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSCT817-25LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NSCT817-25LT1G, NSCT817-25LT1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 56.34 KB)
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NSCT817-25LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 100mA, 1V
功率-最大225mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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頻率-過渡

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 800mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 3V

功率-最大

15W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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