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NJVMJD32CT4G-VF01

NJVMJD32CT4G-VF01

僅供參考

型號 NJVMJD32CT4G-VF01
PNEDA編號 NJVMJD32CT4G-VF01
描述 TRANS PNP 100V 3A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NJVMJD32CT4G-VF01資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NJVMJD32CT4G-VF01
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NJVMJD32CT4G-VF01, NJVMJD32CT4G-VF01數據表 (總頁數: 12, 大小: 239 KB)
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NJVMJD32CT4G-VF01規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)20µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 3A, 4V
功率-最大1.56W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 1V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 5V

功率-最大

25W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 20mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 3V

功率-最大

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頻率-過渡

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