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NJL21193DG

NJL21193DG

僅供參考

型號 NJL21193DG
PNEDA編號 NJL21193DG
描述 TRANS PNP 250V 16A TO-264
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NJL21193DG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NJL21193DG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NJL21193DG, NJL21193DG數據表 (總頁數: 8, 大小: 86.46 KB)
PDFNJL21194DG數據表 封面
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NJL21193DG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)16A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 3.2A, 16A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 8A, 5V
功率-最大200W
頻率-過渡4MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-5
供應商設備包裝TO-264

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

285mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2A, 2V

功率-最大

2.6W

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 100mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

ON Semiconductor

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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