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NGTB50N60FWG

NGTB50N60FWG

僅供參考

型號 NGTB50N60FWG
PNEDA編號 NGTB50N60FWG
描述 IGBT 600V 100A 223W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTB50N60FWG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTB50N60FWG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTB50N60FWG, NGTB50N60FWG數據表 (總頁數: 10, 大小: 177.95 KB)
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NGTB50N60FWG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
電流-集電極脈沖(Icm)200A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.7V @ 15V, 50A
功率-最大223W
開關能量1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用310nC
25°C時的Td(開/關)117ns/285ns
測試條件400V, 50A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)77ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 20A

功率-最大

166W

開關能量

140µJ (on), 560µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

63nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/108ns

測試條件

400V, 20A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

166ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

29A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 15V, 10A

功率-最大

80W

開關能量

600µJ (on), 5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

33nC

25°C時的Td(開/關)

700ns/1.2µs

測試條件

480V, 10A, 1kOhm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

12A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 4A

功率-最大

65W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

13.5nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/69ns

測試條件

400V, 4A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 15V, 10A

功率-最大

46W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

39nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

21ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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