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NGD8205NT4

NGD8205NT4

僅供參考

型號 NGD8205NT4
PNEDA編號 NGD8205NT4
描述 IGBT 390V 20A 125W DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGD8205NT4資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGD8205NT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGD8205NT4, NGD8205NT4數據表 (總頁數: 7, 大小: 111.84 KB)
PDFNGD8205NT4G數據表 封面
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NGD8205NT4規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)390V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 4.5V, 20A
功率-最大125W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-/5µs
測試條件300V, 9A, 1kOhm, 5V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 35A

功率-最大

300W

開關能量

10mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

80ns/400ns

測試條件

960V, 35A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

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制造商

ON Semiconductor

系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 30A

功率-最大

463W

開關能量

260µJ (on), 250µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/55ns

測試條件

390V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 25A

功率-最大

313W

開關能量

340µJ (on), 900µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

160nC

25°C時的Td(開/關)

48ns/210ns

測試條件

600V, 25A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

770ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2500V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

5.2V @ 15V, 75A

功率-最大

250W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

75nC

25°C時的Td(開/關)

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