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NESG2107M33-A

NESG2107M33-A

僅供參考

型號 NESG2107M33-A
PNEDA編號 NESG2107M33-A
描述 RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 8,406
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NESG2107M33-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NESG2107M33-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NESG2107M33-A, NESG2107M33-A數據表 (總頁數: 4, 大小: 302.97 KB)
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NESG2107M33-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)5V
頻率-過渡10GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
增益7dB ~ 10dB
功率-最大130mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 5mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝3-SuperMiniMold (M33)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

增益

24dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-85

供應商設備包裝

SMini3-F2-B

BFP740FH6327XTSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.7V

頻率-過渡

42GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

27.5dB

功率-最大

160mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 25mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

9V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

增益

13.5dB

功率-最大

210mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

增益

9dB ~ 14.5dB

功率-最大

225mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

30GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

增益

20dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 3.5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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