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NE68819-T1

NE68819-T1

僅供參考

型號 NE68819-T1
PNEDA編號 NE68819-T1
描述 RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 5,202
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE68819-T1資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE68819-T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE68819-T1, NE68819-T1數據表 (總頁數: 20, 大小: 347.59 KB)
PDFNE68833-T1-A數據表 封面
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NE68819-T1規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6V
頻率-過渡5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益-
功率-最大125mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 3mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-523
供應商設備包裝3-SuperMiniMold (19)

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14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

增益

10dB ~ 14.5dB

功率-最大

210mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-XFDFN

供應商設備包裝

TSLP-6-1

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

頻率-過渡

30MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

14dB

功率-最大

127W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

19 @ 1.4A, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

3.25A

工作溫度

200°C

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

M135

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

增益

12.5dB ~ 14.5dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

32mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

TPR1000A

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.09GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6dB

功率-最大

2900W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

工作溫度

200°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55KV

供應商設備包裝

55KV

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

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