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NE664M04-T2-A

NE664M04-T2-A

僅供參考

型號 NE664M04-T2-A
PNEDA編號 NE664M04-T2-A
描述 RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 8,172
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE664M04-T2-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE664M04-T2-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE664M04-T2-A, NE664M04-T2-A數據表 (總頁數: 12, 大小: 2,260.58 KB)
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NE664M04-T2-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)5V
頻率-過渡20GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益12dB
功率-最大735mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 100mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝SOT-343F

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.7V

頻率-過渡

45GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

增益

10dB ~ 29dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

4-TSFP

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制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

增益

9.6dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-523

供應商設備包裝

SOT-523

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CEL

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

1.1GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

38 @ 7mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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