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NCV5703BDR2G

NCV5703BDR2G

僅供參考

型號 NCV5703BDR2G
PNEDA編號 NCV5703BDR2G
描述 HIGH CURRENT GATE DRIVER
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCV5703BDR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCV5703BDR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCV5703BDR2G, NCV5703BDR2G數據表 (總頁數: 20, 大小: 667.03 KB)
PDFNCV5703ADR2G數據表 封面
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NCV5703BDR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q100
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT
電壓-供電20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.75V, 4.3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)1A, 1A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)9.2ns, 7.9ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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驅動配置

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

3V, 8V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

400ns, 400ns

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

11ns, 11ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

供應商設備包裝

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

2.3V, -

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

430ns, 260ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 15ns

工作溫度

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安裝類型

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