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NCV57000DWR2G

NCV57000DWR2G

僅供參考

型號 NCV57000DWR2G
PNEDA編號 NCV57000DWR2G
描述 IC IGBT GATE DRIVER
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $48.2906
100 ---------- $46.0269
250 ---------- $43.7633
500 ---------- $41.4997
750 ---------- $39.6133
1,000 ---------- $37.7270
庫存 2,476
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 9 - 六月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCV57000DWR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCV57000DWR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCV57000DWR2G, NCV57000DWR2G數據表 (總頁數: 14, 大小: 225.12 KB)
PDFNCV57000DWR2G數據表 封面
NCV57000DWR2G數據表 頁面 2 NCV57000DWR2G數據表 頁面 3 NCV57000DWR2G數據表 頁面 4 NCV57000DWR2G數據表 頁面 5 NCV57000DWR2G數據表 頁面 6 NCV57000DWR2G數據表 頁面 7 NCV57000DWR2G數據表 頁面 8 NCV57000DWR2G數據表 頁面 9 NCV57000DWR2G數據表 頁面 10 NCV57000DWR2G數據表 頁面 11

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NCV57000DWR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q100
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT
電壓-供電24V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)7.8A, 7.1A
輸入類型Inverting, Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)10ns, 15ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 29ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

11V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.2V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

350mA, 650mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

50ns, 30ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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系列

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驅動配置

High-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

3

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

1.8V ~ 6V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

FAN3278TMX

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 27V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.25V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1A, 1.5A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

21ns, 8ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

ISL6612AECBZ

Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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