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NCV5104DR2G

NCV5104DR2G

僅供參考

型號 NCV5104DR2G
PNEDA編號 NCV5104DR2G
描述 IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,996
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCV5104DR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCV5104DR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCV5104DR2G, NCV5104DR2G數據表 (總頁數: 17, 大小: 241.42 KB)
PDFNCP5104PG數據表 封面
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NCV5104DR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q100
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)250mA, 500mA
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)85ns, 35ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

30A, 30A

輸入類型

-

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

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安裝類型

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驅動配置

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驅動程序數量

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門類型

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電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.6V, 3.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

500mA, 500mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

25ns, 25ns

工作溫度

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Infineon Technologies

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系列

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驅動配置

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頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 15.6V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

RC Input Circuit

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 45ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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驅動配置

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頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

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電壓-供電

3.5V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 5A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 12ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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電壓-供電

3.5V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 12ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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