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NCV33152DR2

NCV33152DR2

僅供參考

型號 NCV33152DR2
PNEDA編號 NCV33152DR2
描述 IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,608
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCV33152DR2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCV33152DR2
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCV33152DR2, NCV33152DR2數據表 (總頁數: 14, 大小: 301.32 KB)
PDFMC34152DR2數據表 封面
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NCV33152DR2規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電6.1V ~ 18V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.6V
電流-峰值輸出(源極,接收器)1.5A, 1.5A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)36ns, 32ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

130mA, 130mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

250ns, 250ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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工作溫度

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邏輯電壓-VIL,VIH

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

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輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

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高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

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輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

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工作溫度

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