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NCP81075DR2G

NCP81075DR2G

僅供參考

型號 NCP81075DR2G
PNEDA編號 NCP81075DR2G
描述 HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,668
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCP81075DR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCP81075DR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCP81075DR2G, NCP81075DR2G數據表 (總頁數: 15, 大小: 322.18 KB)
PDFNCP81075MTTXG數據表 封面
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NCP81075DR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置High-Side or Low-Side
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電8.5V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.7V
電流-峰值輸出(源極,接收器)4A, 4A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)200V
上升/下降時間(典型值)8ns, 7ns
工作溫度-40°C ~ 140°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

4.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

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門類型

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電壓-供電

12.5V ~ 35V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

30A, 30A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.22V, 2.08V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

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電壓-供電

4.75V ~ 5.25V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

500mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

5ns, 7ns

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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系列

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

15A, 15A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

4ns, 4ns

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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