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NCP81074BDR2G

NCP81074BDR2G

僅供參考

型號 NCP81074BDR2G
PNEDA編號 NCP81074BDR2G
描述 IC MOSFET DRIVER 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,278
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCP81074BDR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCP81074BDR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCP81074BDR2G, NCP81074BDR2G數據表 (總頁數: 14, 大小: 370.38 KB)
PDFNCP81074BMNTBG數據表 封面
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NCP81074BDR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Low-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)10A, 10A
輸入類型Inverting, Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)4ns, 4ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2A, 1.2A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

35ns, 25ns

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

HIP4081AIBT

Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

4

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9.5V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.6A, 2.4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

95V

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

20-SOIC

IR2235S

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

3-Phase

驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

1200V

上升/下降時間(典型值)

90ns, 40ns

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

IRS2008STRPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

290mA, 600mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

200V

上升/下降時間(典型值)

70ns, 30ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

ISL89164FBEBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.85V, 3.15V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

供應商設備包裝

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