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NCP5111DR2G

NCP5111DR2G

僅供參考

型號 NCP5111DR2G
PNEDA編號 NCP5111DR2G
描述 IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCP5111DR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCP5111DR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCP5111DR2G, NCP5111DR2G數據表 (總頁數: 14, 大小: 100.38 KB)
PDFNCP5111PG數據表 封面
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NCP5111DR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)250mA, 500mA
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)85ns, 35ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

5A, 5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

5.3ns, 4.5ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

Renesas Electronics America Inc.

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.63V, 2.06V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1A, 1A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

60V

上升/下降時間(典型值)

8ns, 2ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

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驅動配置

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頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 6.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

3V, 6.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3.2A, 4.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

42V

上升/下降時間(典型值)

8ns, 7ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

12V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

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工作溫度

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