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NAND02GAH0LZC5E

NAND02GAH0LZC5E

僅供參考

型號 NAND02GAH0LZC5E
PNEDA編號 NAND02GAH0LZC5E
描述 IC FLASH 2G MMC 52MHZ 153LFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 18 - 六月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NAND02GAH0LZC5E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NAND02GAH0LZC5E
類別半導體內存IC內存

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NAND02GAH0LZC5E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口MMC
時鐘頻率52MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱153-LFBGA
供應商設備包裝153-LFBGA (11.5x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

64-LFBGA, CSP (11x13)

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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MT46H32M32LFCM-6:A TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

1Gb (32M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

90-VFBGA (10x13)

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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-

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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