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NAND01GW4B2AN6E

NAND01GW4B2AN6E

僅供參考

型號 NAND01GW4B2AN6E
PNEDA編號 NAND01GW4B2AN6E
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 27 - 六月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NAND01GW4B2AN6E資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NAND01GW4B2AN6E
類別半導體內存IC內存
數據表
NAND01GW4B2AN6E, NAND01GW4B2AN6E數據表 (總頁數: 64, 大小: 631.5 KB)
PDFNAND02GW3B2AN6F數據表 封面
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NAND01GW4B2AN6E規格

制造商STMicroelectronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁30ns
訪問時間30ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存接口

I²C

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 6.0V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SO

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-

內存格式

-

技術

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內存大小

-

內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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-

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時鐘頻率

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-

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-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

32-PDIP

AT24C32D-MEHM-T

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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