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N25S818HAS21I

N25S818HAS21I

僅供參考

型號 N25S818HAS21I
PNEDA編號 N25S818HAS21I
描述 IC SRAM 256K SPI 16MHZ 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 18 - 六月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N25S818HAS21I資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N25S818HAS21I
類別半導體內存IC內存
數據表
N25S818HAS21I, N25S818HAS21I數據表 (總頁數: 12, 大小: 147.08 KB)
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N25S818HAS21I規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率16MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

32Mb (1M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

56MHz

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

54ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.75V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

600ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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