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MX25L25645GXDR-08G

MX25L25645GXDR-08G

僅供參考

型號 MX25L25645GXDR-08G
PNEDA編號 MX25L25645GXDR-08G
描述 SERIAL NOR
制造商 Macronix
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 5 - 六月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MX25L25645GXDR-08G資源

品牌 Macronix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MX25L25645GXDR-08G
類別半導體內存IC內存

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MX25L25645GXDR-08G規格

制造商Macronix
系列MXSMIO™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O, QPI, DTR
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁30µs, 750µs
訪問時間-
電壓-供電2.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-BGA (6x8)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Tb (256G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.6GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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