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MURT10060R

MURT10060R

僅供參考

型號 MURT10060R
PNEDA編號 MURT10060R
描述 DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,402
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURT10060R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURT10060R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MURT10060R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

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200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 300A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

9mA @ 1800V

工作溫度-結點

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安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5µA @ 100V

工作溫度-結點

175°C (Max)

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

860mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 100V

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

620mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 40V

工作溫度-結點

125°C (Max)

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