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MUN5231T1G

MUN5231T1G

僅供參考

型號 MUN5231T1G
PNEDA編號 MUN5231T1G
描述 TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 118,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUN5231T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUN5231T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
MUN5231T1G, MUN5231T1G數據表 (總頁數: 11, 大小: 96.33 KB)
PDFDTC123EET1G數據表 封面
DTC123EET1G數據表 頁面 2 DTC123EET1G數據表 頁面 3 DTC123EET1G數據表 頁面 4 DTC123EET1G數據表 頁面 5 DTC123EET1G數據表 頁面 6 DTC123EET1G數據表 頁面 7 DTC123EET1G數據表 頁面 8 DTC123EET1G數據表 頁面 9 DTC123EET1G數據表 頁面 10 DTC123EET1G數據表 頁面 11

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MUN5231T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)2.2 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce8 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大202mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70-3 (SOT323)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

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