MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
僅供參考
| 型號 | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR |
| PNEDA編號 | MT53D512M64D4NY-046-XT-ES-E-TR |
| 描述 | IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA |
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 3,472 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 27 - 六月 1 (選擇加急運輸) |
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR資源
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR規格
| 制造商 | Micron Technology Inc. |
| 系列 | - |
| 內存類型 | Volatile |
| 內存格式 | DRAM |
| 技術 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 內存大小 | 32Gb (512M x 64) |
| 內存接口 | - |
| 時鐘頻率 | 2133MHz |
| 寫周期-字，頁 | - |
| 訪問時間 | - |
| 電壓-供電 | 1.1V |
| 工作溫度 | -30°C ~ 105°C (TC) |
| 安裝類型 | - |
| 包裝/箱 | - |
| 供應商設備包裝 | - |
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