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MT53B2DBDS-DC TR

MT53B2DBDS-DC TR

僅供參考

型號 MT53B2DBDS-DC TR
PNEDA編號 MT53B2DBDS-DC-TR
描述 IC SDRAM LPDDR4 6GBIT NA DDP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT53B2DBDS-DC TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT53B2DBDS-DC TR
類別半導體內存IC內存

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MT53B2DBDS-DC TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
內存大小-
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱200-WFBGA
供應商設備包裝200-WFBGA (10x14.5)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

2.133GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

0.6V, 1.1V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

16MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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