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MT48H8M16LFB4-6:K TR

MT48H8M16LFB4-6:K TR

僅供參考

型號 MT48H8M16LFB4-6:K TR
PNEDA編號 MT48H8M16LFB4-6-K-TR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 17 - 六月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT48H8M16LFB4-6:K TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT48H8M16LFB4-6:K TR
類別半導體內存IC內存

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MT48H8M16LFB4-6:K TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPSDR
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-VFBGA
供應商設備包裝54-VFBGA (8x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

28-PDIP

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制造商

Micron Technology Inc.

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技術

FLASH - NAND

內存大小

512Gb (64G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

576Kb (32K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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