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MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

僅供參考

型號 MT47H512M4THN-37E:E TR
PNEDA編號 MT47H512M4THN-37E-E-TR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 17 - 六月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H512M4THN-37E:E TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H512M4THN-37E:E TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H512M4THN-37E:E TR, MT47H512M4THN-37E:E TR數據表 (總頁數: 11, 大小: 401.08 KB)
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MT47H512M4THN-37E:E TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小2Gb (512M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率267MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間500ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-FBGA
供應商設備包裝63-FBGA (9x11.5)

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時鐘頻率

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Microchip Technology

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

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