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MT47H256M4HQ-3:E TR

MT47H256M4HQ-3:E TR

僅供參考

型號 MT47H256M4HQ-3:E TR
PNEDA編號 MT47H256M4HQ-3-E-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H256M4HQ-3:E TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H256M4HQ-3:E TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H256M4HQ-3:E TR, MT47H256M4HQ-3:E TR數據表 (總頁數: 134, 大小: 9,292.75 KB)
PDFMT47H64M16HR-3 AAT:H TR數據表 封面
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MT47H256M4HQ-3:E TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小1Gb (256M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間450ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-FBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x11.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

15ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

15ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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