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MT47H128M8SH-25E AAT:M TR

MT47H128M8SH-25E AAT:M TR

僅供參考

型號 MT47H128M8SH-25E AAT:M TR
PNEDA編號 MT47H128M8SH-25E-AAT-M-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H128M8SH-25E AAT:M TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H128M8SH-25E AAT:M TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT47H128M8SH-25E AAT:M TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (10x18)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

2ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

95ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

64-LBGA (11x13)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

48-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

48-SIDE BRAZED

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內存類型

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訪問時間

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2.65V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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