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MT46V64M8BN-75 IT:D TR

MT46V64M8BN-75 IT:D TR

僅供參考

型號 MT46V64M8BN-75 IT:D TR
PNEDA編號 MT46V64M8BN-75-IT-D-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V64M8BN-75 IT:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V64M8BN-75 IT:D TR
類別半導體內存IC內存

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MT46V64M8BN-75 IT:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間750ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (10x12.5)

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內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

68-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

288Kb (32K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Single Wire

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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