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MT46V32M8P-6TL:GTR

MT46V32M8P-6TL:GTR

僅供參考

型號 MT46V32M8P-6TL:GTR
PNEDA編號 MT46V32M8P-6TL-GTR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,686
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V32M8P-6TL:GTR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V32M8P-6TL:GTR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT46V32M8P-6TL:GTR, MT46V32M8P-6TL:GTR數據表 (總頁數: 93, 大小: 3,632.33 KB)
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MT46V32M8P-6TL:GTR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

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時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 3ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

64-FBGA (13x11)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

256Gb (32G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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