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MT46H128M32L2MC-5 WT:B

MT46H128M32L2MC-5 WT:B

僅供參考

型號 MT46H128M32L2MC-5 WT:B
PNEDA編號 MT46H128M32L2MC-5-WT-B
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46H128M32L2MC-5 WT:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46H128M32L2MC-5 WT:B
類別半導體內存IC內存

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MT46H128M32L2MC-5 WT:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小4Gb (128M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5.0ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱240-WFBGA
供應商設備包裝240-WFBGA (14x14)

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

EEPROM

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-VFBGA

供應商設備包裝

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