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MT41K512M8RH-125 V:E TR

MT41K512M8RH-125 V:E TR

僅供參考

型號 MT41K512M8RH-125 V:E TR
PNEDA編號 MT41K512M8RH-125-V-E-TR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K512M8RH-125 V:E TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K512M8RH-125 V:E TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT41K512M8RH-125 V:E TR, MT41K512M8RH-125 V:E TR數據表 (總頁數: 3, 大小: 147.05 KB)
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MT41K512M8RH-125 V:E TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間13.75ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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