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MT41K256M16TW-107 V:P TR

MT41K256M16TW-107 V:P TR

僅供參考

型號 MT41K256M16TW-107 V:P TR
PNEDA編號 MT41K256M16TW-107-V-P-TR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,996
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K256M16TW-107 V:P TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K256M16TW-107 V:P TR
類別半導體內存IC內存

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MT41K256M16TW-107 V:P TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (256M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (8x14)

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Micron Technology Inc.

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內存大小

32Mb (1M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

55ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.3V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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寫周期-字,頁

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訪問時間

96ns

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工作溫度

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安裝類型

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