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MT41K128M8JP-125:G

MT41K128M8JP-125:G

僅供參考

型號 MT41K128M8JP-125:G
PNEDA編號 MT41K128M8JP-125-G
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,442
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 8 - 六月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K128M8JP-125:G資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K128M8JP-125:G
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT41K128M8JP-125:G規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間13.75ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x11.5)

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內存大小

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內存接口

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

13.5ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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