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MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

僅供參考

型號 MT3S20P(TE12L,F)
PNEDA編號 MT3S20P-TE12L-F
描述 RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 26 - 七月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT3S20P(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT3S20P(TE12L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MT3S20P(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.45dB @ 1GHz
增益16.5dB
功率-最大1.8W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)80mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PW-MINI

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323

BFU520WF

NXP

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

增益

13dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323-3

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.7dB

功率-最大

880W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

工作溫度

250°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

2NLFL

供應商設備包裝

2NLFL

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

75V

頻率-過渡

3.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB

功率-最大

200W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 2A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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SOT-422A

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

增益

12.5dB ~ 14.5dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

32mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-363

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