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MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

僅供參考

型號 MT3S113P(TE12L,F)
PNEDA編號 MT3S113P-TE12L-F
描述 RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 22,212
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT3S113P(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT3S113P(TE12L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MT3S113P(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)5.3V
頻率-過渡7.7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.45dB @ 1GHz
增益10.5dB
功率-最大1.6W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 30mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PW-MINI

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 15mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

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噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10.8dB ~ 12.3dB

功率-最大

5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

工作溫度

200°C (TJ)

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