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MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

僅供參考

型號 MT3S111P(TE12L,F)
PNEDA編號 MT3S111P-TE12L-F
描述 RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 49,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT3S111P(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT3S111P(TE12L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MT3S111P(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.25dB @ 1GHz
增益10.5dB
功率-最大1W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 30mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PW-MINI

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

增益

12.5dB

功率-最大

115mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-523

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.5dB

功率-最大

1450W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

6.5dB @ 200MHz

增益

15dB ~ 23dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

增益

16dB

功率-最大

205mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 20mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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