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MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR

MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR

僅供參考

型號 MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR
PNEDA編號 MT29E2T08CUHBBM4-3-B-TR
描述 IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR
類別半導體內存IC內存

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MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小2Tb (256G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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55ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

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