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MRFE6S9160HR3

MRFE6S9160HR3

僅供參考

型號 MRFE6S9160HR3
PNEDA編號 MRFE6S9160HR3
描述 FET RF 66V 880MHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6S9160HR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6S9160HR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRFE6S9160HR3, MRFE6S9160HR3數據表 (總頁數: 13, 大小: 543.59 KB)
PDFMRFE6S9160HSR5數據表 封面
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MRFE6S9160HR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率880MHz
增益21dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.2A
功率-輸出35W
電壓-額定66V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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額定電流(安培)

12A

噪聲系數

-

當前-測試

400mA

功率-輸出

75W

電壓-額定

80V

包裝/箱

M243

供應商設備包裝

M243

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

450MHz

增益

20dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

150mA

功率-輸出

1000W

電壓-額定

120V

包裝/箱

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-

噪聲系數

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當前-測試

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功率-輸出

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電壓-額定

65V

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

N-Channel JFET

頻率

-

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

7mA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

30V

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

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增益

17.5dB

電壓-測試

26V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

700mA

功率-輸出

100W

電壓-額定

68V

包裝/箱

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