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MRF6S9130HSR3

MRF6S9130HSR3

僅供參考

型號 MRF6S9130HSR3
PNEDA編號 MRF6S9130HSR3
描述 FET RF 68V 880MHZ NI-780S
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S9130HSR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S9130HSR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S9130HSR3, MRF6S9130HSR3數據表 (總頁數: 11, 大小: 510.96 KB)
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MRF6S9130HSR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率880MHz
增益19.2dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試950mA
功率-輸出27W
電壓-額定68V
包裝/箱NI-780S
供應商設備包裝NI-780S

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增益

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.3GHz

增益

16dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

800mA

功率-輸出

28W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.7GHz ~ 3.1GHz

增益

12dB

電壓-測試

32V

額定電流(安培)

33A

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

130W

電壓-額定

60V

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

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頻率

2.68GHz

增益

14dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

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當前-測試

900mA

功率-輸出

85W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

供應商設備包裝

H-30248-2

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.8GHz ~ 1.88GHz

增益

17.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

2A

功率-輸出

65W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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