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MRF6S21100HR3

MRF6S21100HR3

僅供參考

型號 MRF6S21100HR3
PNEDA編號 MRF6S21100HR3
描述 FET RF 68V 2.17GHZ NI-780
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S21100HR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S21100HR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S21100HR3, MRF6S21100HR3數據表 (總頁數: 15, 大小: 724.82 KB)
PDFMRF6S21100HSR5數據表 封面
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MRF6S21100HR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.11GHz ~ 2.17GHz
增益15.9dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試950mA
功率-輸出23W
電壓-額定68V
包裝/箱SOT-957A
供應商設備包裝NI-780H-2L

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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

1.98GHz ~ 2.01GHz

增益

14.8dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

550mA

功率-輸出

37W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780S-4

供應商設備包裝

NI-780S-4

BLF647,112

Ampleon

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

600MHz

增益

14.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

18A

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

120W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-540A

供應商設備包裝

LDMOST

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

2.9GHz

增益

13.3dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

320W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-1230S

供應商設備包裝

NI-1230S

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.4GHz ~ 2.5GHz

增益

14.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

53dBm

電壓-額定

65V

包裝/箱

OM-780-2

供應商設備包裝

OM-780-2

CE3514M4

CEL

制造商

CEL

系列

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晶體管類型

pHEMT FET

頻率

12GHz

增益

12.2dB

電壓-測試

2V

額定電流(安培)

15mA

噪聲系數

0.62dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

125mW

電壓-額定

4V

包裝/箱

4-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

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