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MRF6S20010GNR1

MRF6S20010GNR1

僅供參考

型號 MRF6S20010GNR1
PNEDA編號 MRF6S20010GNR1
描述 FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 11,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S20010GNR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S20010GNR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S20010GNR1, MRF6S20010GNR1數據表 (總頁數: 28, 大小: 959.79 KB)
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MRF6S20010GNR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.17GHz
增益15.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試130mA
功率-輸出10W
電壓-額定68V
包裝/箱TO-270BA
供應商設備包裝TO-270-2 GULL

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

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頻率

2.17GHz

增益

14dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

1µA

噪聲系數

-

當前-測試

500mA

功率-輸出

45W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

1.034GHz

增益

19.6dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

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當前-測試

100mA

功率-輸出

1000W

電壓-額定

112V

包裝/箱

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供應商設備包裝

NI-1230-4S

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STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

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晶體管類型

N-Channel

頻率

175MHz

增益

15.8dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

20A

噪聲系數

-

當前-測試

250mA

功率-輸出

175W

電壓-額定

130V

包裝/箱

M174

供應商設備包裝

M174

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.39GHz

增益

15.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.3A

功率-輸出

28W

電壓-額定

68V

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供應商設備包裝

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