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MRF6S19100MR1

MRF6S19100MR1

僅供參考

型號 MRF6S19100MR1
PNEDA編號 MRF6S19100MR1
描述 FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF6S19100MR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF6S19100MR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRF6S19100MR1, MRF6S19100MR1數據表 (總頁數: 16, 大小: 986.24 KB)
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MRF6S19100MR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.99GHz
增益14.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試950mA
功率-輸出22W
電壓-額定68V
包裝/箱TO-270-4
供應商設備包裝TO-270 WB-4

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電壓-測試

-

額定電流(安培)

15mA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

30V

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.7GHz ~ 3.1GHz

增益

15dB

電壓-測試

32V

額定電流(安培)

3.5A

噪聲系數

-

當前-測試

25mA

功率-輸出

6W

電壓-額定

60V

包裝/箱

SOT-975C

供應商設備包裝

CDFM2

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

960MHz ~ 1.22GHz

增益

17dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

54A

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

450W

電壓-額定

100V

包裝/箱

SOT634A

供應商設備包裝

CDFM2

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

1.03GHz ~ 1.09GHz

增益

19.2dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

770W

電壓-額定

105V

包裝/箱

NI-780S-4L

供應商設備包裝

NI-780S-4L

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.16GHz

增益

16dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

11.5W

電壓-額定

68V

包裝/箱

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