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MRF559G

MRF559G

僅供參考

型號 MRF559G
PNEDA編號 MRF559G
描述 RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF559G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF559G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MRF559G, MRF559G數據表 (總頁數: 5, 大小: 136.08 KB)
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MRF559G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)16V
頻率-過渡870MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益9.5dB
功率-最大2W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 50mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Micro-X ceramic (84C)
供應商設備包裝Micro-X ceramic (84C)

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增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Microsemi

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

7.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

70V

頻率-過渡

1.03GHz ~ 1.09GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

9.5dB

功率-最大

500W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.65dB @ 900MHz

增益

20dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

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功率-最大

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80 @ 20mA, 10V

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100mA

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