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MPQ3762

MPQ3762

僅供參考

型號 MPQ3762
PNEDA編號 MPQ3762
描述 TRANS 4PNP 40V
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPQ3762資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPQ3762
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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MPQ3762規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型4 PNP (Quad)
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大3W
頻率-過渡150MHz
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱14-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝TO-116

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

功率-最大

2.12W

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安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 200mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 200mA, 2V

功率-最大

1.7W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

140mV @ 20mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 300mA, 2V

功率-最大

1.77W

頻率-過渡

-

工作溫度

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150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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