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MMSD3070

MMSD3070

僅供參考

型號 MMSD3070
PNEDA編號 MMSD3070
描述 DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 161,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMSD3070資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMSD3070
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MMSD3070, MMSD3070數據表 (總頁數: 7, 大小: 363.41 KB)
PDFMMSD3070數據表 封面
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MMSD3070規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)200mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 175V
電容@ Vr,F5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123
工作溫度-結點150°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

7.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 7.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

700µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

800mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

SUPERECTIFIER®

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 12V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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