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MMBTH24

MMBTH24

僅供參考

型號 MMBTH24
PNEDA編號 MMBTH24
描述 RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTH24資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTH24
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
MMBTH24, MMBTH24數據表 (總頁數: 6, 大小: 168.84 KB)
PDFMMBTH24數據表 封面
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MMBTH24規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
頻率-過渡400MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 8mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

30MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

14dB

功率-最大

233W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1.4A, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Microsemi

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Microsemi Corporation

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

470MHz ~ 860MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.5dB

功率-最大

65W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 500mA, 20V

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.2A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB

功率-最大

11W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.3A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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-

增益

5.8dB

功率-最大

117W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

200°C (TJ)

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